Haut PDF Films minces de Ta₂O₅ et (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ (x=0.93) : structures et propriétés

Films minces de Ta₂O₅ et (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ (x=0.93) : structures et propriétés

Films minces de Ta₂O₅ et (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ (x=0.93) : structures et propriétés

— Les résultats d’une analyse d’images MET en haute résolution sur la phase trigonale montrent que des structures non-centrosymétriques sont identifiables. Toutefois, comme les deux groupes d’espace R3c et R3, déduits d’observations en MET [25], dépendent des axes de zone observés et semblent être dus une interaction du fais- ceau d’électrons incidents avec le matériau piézoélectrique, une preuve de cette interaction a été présentée. Différents changements de groupe d’espace de R3c à R3 et P 1 et de déformations ont été observés en fonction de l’orientation cristallo- graphique des échantillons par rapport à la direction du faisceau d’électrons. Des taux de déformation de la structure trigonale en structure triclinique atteignant presque 14% ont été mesurés lorsque l’axe polaire est parallèle à la direction du faisceau d’électrons. Cet effet de déformation a été interprété comme dû à la créa- tion d’un champ électrique au travers de l’échantillon qui s’oppose au passage des électrons. L’amplitude de la déformation pour une orientation cristallographique fixée, dépend a priori du décalage angulaire entre les directions du champ élec- trique et du faisceau d’électrons. Ces résultats sont en accord avec de précédentes mesures par effet Doppler des vitesses de déformation sous des champs électriques alternatifs de différentes amplitudes.
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Rupture et délamination de films minces

Rupture et délamination de films minces

Fissure sur substrat flexible 121 La mécanique des couches minces sur substrat flexible est un sujet d’inté- rêt industriel croissant, motivé par le développement de l’électronique flexible (l’éclairage et photovoltaïque flexibles (figure 5.1A)). Pour un industriel comme Saint-Gobain, une potentialité prometteuse est de fonctionnaliser des surfaces en les recouvrant d’un film plastique (par exemple en déposant sur une sur- face de verre une feuille de polymère fonctionnalisée par une couche barrière d’oxyde ou une couche de faible émissivité). Les difficultés pour décrire la propagation de fissures dans la couche proviennent des contrastes de modules élastiques entre la couche mince rigide et le substrat de polymère, de la plasti- cité du substrat et de la faible adhésion entre la couche et le substrat. La com- préhension de la mécanique est importante pour guider le design de structures plus complexes permettant de maintenir l’intégrité du film à grande déforma- tion. Un défi pour les applications est notamment de maintenir la conductivité électrique des couches malgré les déformations imposées par le substrat. Dans un contexte plus fondamental, la compréhension du phénomène de fissuration sur un substrat flexible constitue une méthode prometteuse pour caractéri- ser les propriétés mécaniques des films minces. Il est par exemple possible de déterminer les modules élastiques, la ténacité ou l’énergie d’adhésion d’une feuille de graphène à partir de l’observation de la propagation de fissures dans la feuille déposée sur un substrat de polymère mis en traction uniaxiale (Jiang
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Effets des additifs organiques sur les propriétés de films minces granulaires de Co-Cu

Effets des additifs organiques sur les propriétés de films minces granulaires de Co-Cu

I.5.2 Taille de grain Ce paramètre microstructural peut être obtenu à l’aide de plusieurs techniques. A titre d’exemple, la diffraction des rayons X permet d’accéder à la taille de grain après une analyse en utilisant l’équation de Scherrer [39]. L’utilisation de la microscopie électronique en transmission (MET) est aussi un outil adapté pour obtenir la taille de grain. Néanmoins cette technique présente les inconvénients d’être une analyse très locale et nécessite une mise en œuvre assez longue pour obtenir une statistique représentative de l’échantillon. Certains auteurs se basent alors sur des observations réalisées par microscopie électronique à balayage (MEB), mais l’attribution des structures observées à des grains n’est pas toujours justifiée. De façon générale, il est considéré que la taille des grains est contrôlée par les processus de germination/croissance, en d’autres termes par la surtension imposée et par le degré d’inhibition [37]. L’utilisation d’une surtension élevée permettrait d’obtenir des dépôts de surface lisses, et permettrait aussi d’affiner la taille de grain en augmentant la vitesse de germination (paragrape I.4.1). Néanmoins d’après Watanabe [16], qui a observé en MET la taille de grain et en MEB la surface des revêtements de nickel élaborés avec différentes densités de courant, l’augmentation de la densité de courant engendre des dépôts plus lisses, sans que ce ne soit attribuable à une diminution de la taille de grain. Celui-ci a mis en relation les tailles de grain obtenues dans divers dépôts métalliques purs (à une épaisseur de 5 μm) et le point de fusion du métal. La température peut également jouer un rôle important sur la taille de grain puisque de façon générale les facteurs qui favorisent la diffusion superficielle vont conduire à une augmentation de la taille de grain [40].
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Etude des propriétés électriques et optiques des diodes électroluminescentes organiques « OLED » à base de films minces en polymère.

Etude des propriétés électriques et optiques des diodes électroluminescentes organiques « OLED » à base de films minces en polymère.

89 Le travail s’est déroulé en deux étapes principales. Dans un premier volet, nous avons étudié les caractéristiques électriques et optiques des PLEDs à base de DP-PPV ayant une structure monocouche à travers la modélisation et la simulation des mécanismes d’injection, de transport et de recombinaison. Ces diodes organiques sont composées d’une couche organique (P 1 , P 2 ou P 3 ) prise en sandwich entre une anode en ITO/PEDOT : PSS et une cathode métallique. Nous avons observé un bon accord entre les résultats obtenus par simulation et par modélisation et ceux obtenus expérimentalement par d’autres auteurs. En outre, nous avons étudié la puissance lumineuse des trois structures et leurs différents profils des densités de porteurs, du champ électrique, de la mobilité, du taux de recombinaison Langevin et des excitons singulets ainsi que leurs différents rendements de recombinaison CBF, d’électroluminescence EQE et énergétique. Nous avons constaté entre autre qu’une meilleure performance est garantie par l’équilibre entre les mécanismes d’injection et de transport et ce en ayant : des contacts Schottky et des mobilités élevées pour les deux porteurs de charges, un contact ohmique avec une faible mobilité d’un coté et un contact Schottky avec une grande mobilité de l’autre coté ou des contacts ohmiques avec des mobilités élevées. En effet, cet équilibre a un grand effet sur le rendement de recombinaison résultant à avoir un CBF et un EQE élevés. La valeur de ces deux paramètres décroit quand il n’y a plus d’équilibre entre les mécanismes d’injection et de transport.
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Films minces d'oxydes à grande permittivité pour la nanoélectronique : organisation structurale et chimique et propriétés diélectriques

Films minces d'oxydes à grande permittivité pour la nanoélectronique : organisation structurale et chimique et propriétés diélectriques

Nous l'avons utilisée dans le cas des films La 2 O 3 et LaZrO déposés sur silicium, à cause de la coexistence des distributions caractéristiques Si-L et La-N. En effet, l’utilisation de ces distributions caractéristiques s’est imposée puisque les autres distributions accessibles, Si-K (1839 eV) et La-M (832 eV), se situent à des pertes d’énergie élevées qui nécessitent des temps d’acquisition longs donc préjudiciables au film. Pour modéliser le signal expérimental, nous avons utilisé les distributions caractéristiques Si-L du silicium substrat et La-N de l'oxyde dans la couche loin de l'interface issues de la même expérience que le signal. Nous avons aussi introduit la distribution caractéristique Si-L de la silice issue de la même expérience lorsque cela était possible ou alors issu d'une autre expérience (Figure 3-23). La fenêtre en énergie utilisée pour la simulation MLLS est [95-150 eV], compromis entre la nécessité d’intégrer un signal comprenant le plus grand nombre de signatures caractéristiques (structures fines) possibles et la diminution de l’erreur relative à l’extraction du fond continu. L’intensité des profils est finalement obtenue en quantifiant de manière traditionnelle le silicium et le lanthane respectivement dans le substrat et en fin de couche (où le silicium est absent).
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Rupture et délamination de films minces

Rupture et délamination de films minces

Fissure sur substrat flexible 121 La mécanique des couches minces sur substrat flexible est un sujet d’inté- rêt industriel croissant, motivé par le développement de l’électronique flexible (l’éclairage et photovoltaïque flexibles (figure 5.1A)). Pour un industriel comme Saint-Gobain, une potentialité prometteuse est de fonctionnaliser des surfaces en les recouvrant d’un film plastique (par exemple en déposant sur une sur- face de verre une feuille de polymère fonctionnalisée par une couche barrière d’oxyde ou une couche de faible émissivité). Les difficultés pour décrire la propagation de fissures dans la couche proviennent des contrastes de modules élastiques entre la couche mince rigide et le substrat de polymère, de la plasti- cité du substrat et de la faible adhésion entre la couche et le substrat. La com- préhension de la mécanique est importante pour guider le design de structures plus complexes permettant de maintenir l’intégrité du film à grande déforma- tion. Un défi pour les applications est notamment de maintenir la conductivité électrique des couches malgré les déformations imposées par le substrat. Dans un contexte plus fondamental, la compréhension du phénomène de fissuration sur un substrat flexible constitue une méthode prometteuse pour caractéri- ser les propriétés mécaniques des films minces. Il est par exemple possible de déterminer les modules élastiques, la ténacité ou l’énergie d’adhésion d’une feuille de graphène à partir de l’observation de la propagation de fissures dans la feuille déposée sur un substrat de polymère mis en traction uniaxiale (Jiang
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Etude de l’influence de l’azote et du recuit thermique sur les propriétés de films minces de nitrure de chrome

Etude de l’influence de l’azote et du recuit thermique sur les propriétés de films minces de nitrure de chrome

b Propriétés physiques et mécaniques des nitrures de chrome : Les propriétés physiques et mécaniques de certains types de nitrure des métaux de transition sont données dans le tableau I.[r]

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Etude de couches minces à base de delafossite CuCr1-xFexO2(0 ≤ x ≤ 1) dopées au Mg déposées par pulvérisation cathodique radiofréquence en vue d'optimiser leurs propriétés thermoélectriques

Etude de couches minces à base de delafossite CuCr1-xFexO2(0 ≤ x ≤ 1) dopées au Mg déposées par pulvérisation cathodique radiofréquence en vue d'optimiser leurs propriétés thermoélectriques

d’oxygène mesurée dans le four lors du traitement thermique (Figure 4-2). Même si ce diagramme de phase n’est pas adapté dans le cas des couches minces à cause du fort rapport surface-volume et des contraintes mécaniques, les domaines de stabilité des différentes phases cristallines restent cependant cohérents avec les résultats de cette étude. En effet, le diagramme de phases prédit la stabilité de la phase delafossite à partir de 549 °C. Sur les diffractogrammes, les pics de la structure delafossite correspondant aux plans (006), (101), (012) et (104) du groupe d’espace R-3m (fiche : #01-070-6670) apparaissent effectivement au-delà de 550 °C et leur intensité reste quasiment constante avec la température de recuit. En outre, il est intéressant de noter la présence du pic (006) avec une intensité relative prédite pour la phase delafossite, contrairement aux couches de CuCrO 2 :Mg étudiées dans le chapitre 3. La configuration étant en incidence rasante, il
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Thermal oxidation of oxynitride films as a strategy to achieve (Sr<sub>2</sub>Ta<sub>2</sub>O<sub>7</sub>)<sub>100-x</sub>(La<sub>2</sub>Ti<sub>2</sub>O<sub>7</sub>)<sub>x</sub> based oxide perovskite films with x = 1.65

Thermal oxidation of oxynitride films as a strategy to achieve (Sr<sub>2</sub>Ta<sub>2</sub>O<sub>7</sub>)<sub>100-x</sub>(La<sub>2</sub>Ti<sub>2</sub>O<sub>7</sub>)<sub>x</sub> based oxide perovskite films with x = 1.65

EDS analysis of a dedicated sample gives a strontium to tantalum ratio Sr/Ta = 0.98, which confirms the targeted stoichiometry of the STLTO oxide material. 2. Thin films deposition and characterization methods STLTO and STLTON films were deposited by reactive rf magnetron sputtering (Plassys MP450S) using the home made STLTO target located at 5 cm from the substrate holder. The deposition chamber was pumped down to a base pressure of 10 −5 Pa ; during deposition, the dynamic pressure was maintained at 2.5 Pa (30 mTorr). Depositions were performed under a reactive atmosphere consisting in (Ar + O 2 ) or (Ar + N 2 ) gas for the deposition of STLTO oxide
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Aspects structuraux et magnétiques de cristaux de ZnO et de films Zn 1-x M x O (M=Co, Mn)
épitaxiés par ablation laser sur substrats de ZnO(00. -1)

Aspects structuraux et magnétiques de cristaux de ZnO et de films Zn 1-x M x O (M=Co, Mn) épitaxiés par ablation laser sur substrats de ZnO(00. -1)

mesures magnétiques nous laissent penser qu’il n’y pas évidence d’un ferromagnétisme intrinsèque dans ces films Zn 1-x Co x O [1,3]. [1] Y. Zheng, J.C. Boulliard, D. Demaille, Y. Bernard & J.F. Pétroff, Study of ZnO crystals and Zn 1-x M x O (M=Co, Mn) epilayers grown by pulsed laser deposition on ZnO(00.1¯) substrate, J. Crystal Gowth, to be published.

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Study of annealing-induced interdiffusion in In$_2$O$_3$/Ag/In$_2$O$_3$ structures by a combined X-ray reflectivity and grazing incidence X-ray fluorescence analysis

Study of annealing-induced interdiffusion in In$_2$O$_3$/Ag/In$_2$O$_3$ structures by a combined X-ray reflectivity and grazing incidence X-ray fluorescence analysis

XRR is a non-destructive, highly accurate method based on the re- flection in the specular direction of X-rays at the surface and interfaces of the sample [10] and is used to determine thickness, in-depth elec- tronic density, and roughness of thin layers. Both XRR and GIXRF methods can be operated simultaneously on a unique experimental setup using the same primary X-ray radiation ( Fig. 3 ). The combination of the complementary information that these two techniques provide is used to reduce the uncertainties of the individual methods and allows a determination of the depth pro file with a better accuracy [11] . The com- bined analysis of IO/Ag/IO stacking has been performed in order to obtain the material composition and the layers structure as well as their modi fications induced by a thermal annealing.
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O prince! c'est à vous qu'on parle Les structures focalisantes dans les Sermons de Bossuet

O prince! c'est à vous qu'on parle Les structures focalisantes dans les Sermons de Bossuet

L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, est destinée au dépôt et à la diffusion de documents scientifiques de niveau recherche, publiés ou non, émanant des établissements d’enseignemen[r]

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From Th-Rhabdophane to Monazite-Cheralite Solid Solutions: Thermal Behavior of Nd 1–2 x Th x Ca x PO 4 · n H 2 O ( x = 0–0.15)

From Th-Rhabdophane to Monazite-Cheralite Solid Solutions: Thermal Behavior of Nd 1–2 x Th x Ca x PO 4 · n H 2 O ( x = 0–0.15)

solid solutions were obtained by direct heating of such precursors from x = 0 to x = 0.1. For x > 0.1, the composition of the rhabdophane precursor appeared to be non-stoichiometric and α-ThP 2 O 7 was found as a secondary phase in the final product. The combination of TGA analyses, HT-PXRD and dilatometry experiments allowed the description of the thermal conversion of rhabdophane-type precursor to the final monazite-cheralite wasteform. The temperatures associated to the dehydration and to the rhabdophane to monazite conversion were determined. The Ca-Th coupled substitution rate seemed to affect these transformation temperatures as the change of ion radii would influence the structure stability. In the case of the as-synthesized powders, the refined unit cell volume was found to increase when smaller atoms are incorporated within the structure. This unexpected trend is impacted by the insertion of extra water molecules in a slightly variable amounts within the channels. Accurate determination of the temperature associated to the stabilization of the hemihydrate form was not possible. However, above 100°C, we assume all the samples prepared to be under the form Nd 1- 2x Th x Ca x PO 4 ·0.5 H 2 O (x = 0 to 0.10). Under these circumstances, the unit cell volume decreases
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Synthesis of Ca₊Ba₁₋₊Nb₂O₅ Thin Films on Lattice Matched Gd₃Ga₅O₁₂ substrate by Pulsed Laser Deposition.

Synthesis of Ca₊Ba₁₋₊Nb₂O₅ Thin Films on Lattice Matched Gd₃Ga₅O₁₂ substrate by Pulsed Laser Deposition.

4 All of the crystalline materials whose structures possess these point groups (which the exception of 432) exhibit the phenomenon of piezoelectricity, which means that stress will generate a charge separation on the faces of the crystal (the direct piezoelectric effect) and will undergo mechanical strain when subjected to and electric field (the converse piezoelectric effect) [ 9 ]. A sub-set of the non-centrosymmetric crystals also possess a unique axis of symmetry which are said to be polar. Polar crystals are piezoelectric and also shows pyroelectricity. Pyroelectricity is the property of certain crystals which have spontaneous polarization. Alternatively, pyroelectricity is interpreted as the ability of certain materials which can generate a temporary voltage under heating or cooling. Polar crystal also has built in dielectric polarisation to the unit cell of the crystal structure which is called spontaneous polarisation. The application of stress (for piezoelectric) or a change in temperature (for pyroelectric) causes a change in the dipole moment which results the charge separation of the surface of the crystal. The direction and magnitudes of the spontaneous polarisation in a polar dielectric can be changed by the application of an electric field but it will return to its zero-filed value upon removal of the applied electric filed.
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Modélisation de Films Minces

Modélisation de Films Minces

Cependant, nous avons constaté au cours de notre étude que les modèles limites obtenus pour les films courbés sont non seulement plus généraux, mais aussi dans certains cas, assez différ[r]

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O destino das coisas e o Museu Nacional

O destino das coisas e o Museu Nacional

85 set 2019 vol. especial, nº 1 Ventilando Acervos Florianópolis _________________________ 36 A partir de 1977 e durante toda a década de 1980, o SEE teve gran- de impulso de pesquisas de campo e de gabinete, com assinatura de convênios que fomentaram a refor- ma estrutural do depósito, trans- formado em uma reserva técnica, possibilitando a reorganização de milhares de objetos que estavam praticamente inacessíveis. Enquanto organizava a reserva técnica para que pesquisadores pudessem consultar os objetos e os índices de histórias ali produzidos, como o Catálogo e a atualização periódica das fichas indi- viduais de classificação, em termos de pesquisa de campo o Setor de Et- nologia desenvolveu atividades nas áreas do rio Xingu, do rio Araguaia, do rio Solimões e no final dos anos 1980, da região nordeste do Brasil. 37 Em algumas viagens, ele foi como auxiliar de naturalistas, a fim de cola- borar com as observações e coleta- das de objetos. Em outras excursões, sua função era a de reunir coleções. Em 1949, 1951 e 1953, acompanhou Pedro Lima em viagens de campo ao Xingu, para realizar pesquisas em antropologia física e formando co- leções antropológicas e etnográficas dos povos da chamada “Área Cultu- ral do Uluri”, segundo a divisão pro- posta por Eduardo Galvão para as “áreas culturais” indígenas no Brasil. Em 1955, realizou trabalho de cam- po em Cabo Frio, Rio de Janeiro. No início de 1956, Castro Faria mencio- nou no plano de atividades que era preciso “dedicar atenção especial ao problema do colecionamento de no- vos materiais etnográficos, sobretudo para renovação dos nossos mostruá- rios”. O encarregado foi Esperidião. Naquele mesmo ano, viajou para o sul do Mato Grosso, onde ficou por 60 dias, a fim de reunir coleções de material etnográfico junto aos ín- dios Kadiwéu. A intenção de Castro Faria para o Setor de Etnologia era “atender a necessidade de ampliar os materiais de arte indígena das nossas coleções”. O foco era direcionado a objetos específicos, como “cerâmica, couros pintados e reprodução das pinturas corporais”, e de um povo específico, “os índios Kadiwéu”. No ano seguinte, em 1957, Esperidião fez outra excursão, pelo mesmo perí- odo de 60 dias, desta vez para coletar material Karajá, entre Mato Gros- so e Goiás. Desta viagem, resultou uma coleção de aproximadamente 80 “bonecas de barro”, reunidas em dezembro de 1957 no Posto Indí- genas de Santa Isabel, dois meses após o fim da pesquisa de campo de
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A machine to play the game of "X and O"

A machine to play the game of "X and O"

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Stable structures of He and H2 O at high pressure

Stable structures of He and H2 O at high pressure

Ice is a wide band gap insulator at ambient conditions and at high pressures up to the TPa region. Because of the closed-shell nature of the He···O interactions, the presence of He in the ice does not lead to an immediate closure of the band gap. We have calculated the electronic band structure and projected density of states for the Ibam structure at 300 GPa [Figs. 3(a) and 3(b) ], which reveal an indirect band gap of ∼10 eV between the Ŵ and X points. Similar to the ice, the electronic states of (H 2 O) 2 He near the band gap are dominated by oxygen. The fat-band representation [Fig. 3(a) ] clearly shows three subsets of valence bands, which, in the order of decreasing energy, are characteristic of O 2p orbital (0 to −20 eV), He 1s orbital (−5 to −20 eV), and O 2s orbital (−20 to −30 eV). The bands of hydrogen mix strongly with those of oxygen throughout the valence regime, representing an O–H–O covalent network. The bands of He consist primarily of its 1s orbitals, which mix with the bands of oxygen, in particular, between −5 and − 15 eV, for a bonding He···O interaction. These properties suggest weak interaction between H 2 O and He and that an interaction similar in strength to hydrogen bonding is playing a significant role in stabilizing the (H 2 O) 2 He at high pressures. In addition, the stability of the Ibam structure at high pressures has been established from the phonon calculations (Fig. 4 ). The absence of imaginary frequencies confirms that this structure is dynamically stable and therefore experimentally accessible.
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Films minces de cristaux liquides

Films minces de cristaux liquides

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Surface plasmon resonance gas sensors using Au-WO₃₋ₓ nanocomposite films

Surface plasmon resonance gas sensors using Au-WO₃₋ₓ nanocomposite films

/ La version de cette publication peut être l’une des suivantes : la version prépublication de l’auteur, la version acceptée du manuscrit ou la version de l’éditeur. For the publisher’s[r]

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