Haut PDF Mesure de l'épaisseur des films minces pendant leur formation sous vide

Mesure de l'épaisseur des films minces pendant leur formation sous vide

Mesure de l'épaisseur des films minces pendant leur formation sous vide

Liaison du quartz de mesure à l’oscillateur. - Elle est réalisée par une ligne bifilaire 300 Q de 50 cm de longueur. Le passage à travers la cloche à vide se fait par deux perles isolantes en verre fritté. La liaison par câble coaxial est à déconseiller, la capacité d’un tel conducteur étant trop importante.

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Nouveaux matériaux getter en couches minces à base d'éléments de transition et de terres rares pour l'encapsulation sous vide de MEMS

Nouveaux matériaux getter en couches minces à base d'éléments de transition et de terres rares pour l'encapsulation sous vide de MEMS

Dans le troisième chapitre, nous détaillerons les techniques utilisées pendant cette thèse pour la réalisation de couches minces de matériaux getter et leur caractérisation. Nous commencerons par exposer les conditions de production des échantillons par co-évaporation et les difficultés rencontrées dans l’élaboration, en particulier pour l’yttrium. Puis nous présenterons les techniques expérimentales de salle blanche utilisées pour la caractérisation électrique des films. Cette technique de mesure, simple à mettre en œuvre, permet de distinguer pour des échantillons connus des comportements de sorption de l’oxygène dans des conditions contrôlées. Elle a été appliquée dans le cas de l’yttrium, dans un premier temps pour surveiller l’évolution de son comportement à température ambiante sous air, puis pour la caractérisation in situ de l’activation du getter. Nous reviendrons également sur quelques exemples de la littérature de l’utilisation de cette technique pour la détection de l’oxydation ou de l’hydrogénation de films minces d’yttrium. Par la suite, nous ferons quelques rappels simples et exposerons les conditions expérimentales utilisées durant cette thèse sur les autres techniques de salle blanche telles que l’XPS et la DRX. Enfin, nous développerons largement la théorie des techniques d’Analyses par Faisceau d’Ions (IBA), particulièrement utilisées dans cette thèse et permettant la détection des divers éléments chimiques en fonction de la profondeur du film getter avant, pendant ou après son activation. Nous présenterons enfin, succinctement, le bâti ultravide de caractérisation des getters développé durant cette thèse.
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Etude des paramètres de transport et des états de défaut dans les pérovskites en couches minces sous différents environnements - air ou vide - et après trempage à la lumière

Etude des paramètres de transport et des états de défaut dans les pérovskites en couches minces sous différents environnements - air ou vide - et après trempage à la lumière

profonds, deux évolutions qui ne sont pas observées lorsque le trempage lumineux est réalisé sous vide, après un trempage à la lumière, l'échantillon étant laissé quelques jours à l'obscurité et sous vide, certaines propriétés semblent récupérer tandis que d'autres ne le font pas. Par exemple, le décalage vers le rouge de l'écart après un trempage à la lumière disparaît après quelques jours de récupération et on peut voir sur la figure 8 que L amb au jour 31, après un trempage à la lumière et quelques jours de récupération, est presque égal au durée de diffusion au jour 23 avant la lumière. En revanche, la photoconductivité ne retrouve jamais la valeur qu'elle avait avant l'imprégnation à la lumière. Ce résumé indique que différents processus sont impliqués dans l'évolution des propriétés du matériau. Concernant l'augmentation de L amb sous air par rapport à L amb sous vide, nous pouvons suggérer que l'adsorption d'un composant d'air (vapeur d'eau ou oxygène) peut passiver la surface de l'échantillon en réduisant la recombinaison de surface. Cette hypothèse est en accord avec les rapports précédents dans la littérature suggérant que l'entrée d'oxygène ou l'incorporation d'humidité pourrait être responsable d'une augmentation de L amb [29]. L'influence de l'oxygène a également été soulignée par Galisteo-Lopez et al. [30] et par Brenes et al. [31] qui ont observé une amélioration du rendement quantique de photoluminescence après exposition des films à l'air et à la lumière. Il a été proposé que la formation d'un superoxyde de passivation de surface sur la surface du film était responsable de la passivation des états de surface conduisant à une augmentation de la durée de vie du support. La passivation réversible des pièges a également été théoriquement prédite et étudiée par Meggiolaro et al. [32]. Dans toutes ces publications, la passivation de la surface du film par un composant d'air s'est avérée être assistée par la lumière. Dans notre cas, la lumière est simplement fournie par le faisceau principal de l'expérience SSPG également utilisé dans les mesures SSPC.
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Effet de la pression sur le phénomène de cloquage des films minces

Effet de la pression sur le phénomène de cloquage des films minces

Dans cette thèse, nous nous sommes attachés à caractériser, tant du point de vue expé- rimental que du point de vue théorique, l’effet de la pression sur la morphologie des cloques obtenues sur la surface de films contraints sur substrats. Dans le premier chapitre, le problème de la détermination du niveau de pression dans les cavités apparaissant sous des cloques observées à la surface de films de nickel sur substrat de polycarbonate a été abordé. A cette fin, des rides rectilignes et fermées ont été sélectionnées et découpées par faisceaux d’ions localisés. La mesure par microscopie à force atomique de la déflexion maximale des cloques avant et après découpe a alors mis en évidence une augmentation significative de cette déflexion, augmentation de l’ordre de quelques dizaines de nanomètres. Cette relaxation de forme a été ensuite analysée dans le cadre de la théorie de Föppl-von Karman des plaques minces. La détermination des formes d’équilibre des films sous l’action d’une pression et d’une contrainte résiduelle, puis la comparaison de ces formes avec les profils expérimentaux a permis de justifier la présence de vide sous les cloques. Il a aussi été montré que sous l’action d’une importante différence de pression entre la surface supérieure et la surface inférieure du film, seulement un faible pourcentage de la zone délaminée du film était flambée, le reste de cette zone non-adhérente étant reposée sur son substrat. L’effet combiné de la pression interne et du caractère "rigide" du substrat a été interprété comme un effet limitant la délamination des cloques.
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Étude des mécanismes de formation de phases dans des films minces du système ternaire Al-Cu-Fe

Étude des mécanismes de formation de phases dans des films minces du système ternaire Al-Cu-Fe

est en rotation sur lui-même au cours du dépôt, la vitesse de rotation est 5 tr/min. 2.2. Elaboration par fusion à arc 2.2.1. Technique La Figure 2.2 présente l’enceinte d’un four à arc [ 2009 Mas]. Les morceaux de métal destinés à être fondus sont déposés dans un creuset de cuivre refroidi par une circulation d’eau froide (environ 15°C), de telle manière que le métal possédant le point de fusion le plus élevé se trouve au-dessus des autres. Il sera touché par l’arc et fondra donc en premier, limitant ainsi le risque d’inclusions non fondues. L’enceinte du four est ensuite fermée, et un vide secondaire de 2.10 -9 bar est réalisé. Une fois cette valeur atteinte, de l’argon à une pression de 0,7 bar est introduit dans l’enceinte afin de permettre la formation de l’arc électrique.
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Comportements colloïdaux dans des films minces de cristaux liquides

Comportements colloïdaux dans des films minces de cristaux liquides

Dans un premier temps, nous avons commencé par développer un système expérimental simple afin de réaliser un film nématique hybride, d’épaisseur homogène et stable au cours du temps. Différentes méthodes expérimentales, basées sur la mesure de la biréfringence, ont été utilisées pour déterminer avec précision l’épaisseur des films nématiques hybrides. Par la suite, nous avons analysé de nouveaux phénomènes résultant du confinement des colloïdes aux interfaces d’un film plus mince que leur taille, en particulier l’apparition de nouvelles textures nématiques. Ces observations ont montré, d’une part, la déformation des interfaces du cristal liquide autour des colloïdes. D’autre part, elles ont révélé l’existence de deux nouvelles géométries élastiques différentes : le dipôle géant et la texture « papillon », qui sont caractérisées par une distorsion élastique du vecteur directeur à grande distance aux voisinages des particules. La première analyse qualitative a montré qu’il n’y a pas de couplage direct entre la déformation capillaire du film et la distorsion élastique du directeur. Pour cette raison, les deux phénomènes ont pu être étudiés séparément.
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Optimisation de la mesure de travail de sortie par microscopie à sonde locale sous vide : application aux dispositifs avancés

Optimisation de la mesure de travail de sortie par microscopie à sonde locale sous vide : application aux dispositifs avancés

General introduction General introduction The miniaturization is currently playing an important role in research and development on materials (semiconductors, data storage, biomaterials, health care and others). This development makes essential the availability of characterization tools operating at the nanoscale. This is why in recent years an increasing number of analytical methods have been introduced for comprehensive analyses at the nanometre scale. The scanning probe microscopy (SPM) techniques are of particular interest because of their capabilities to measure, at the nanoscale, surface morphology together with a surface physicochemical property. Among these accessible properties, the surface potential distribution (a quantity closely related to the work function), has grown considerably in interest to understand many chemical and physical surface and interface phenomena. Among these phenomena we can cite: semiconductors doping profiling, imaging trapped surface charges in insulators, chemical identification of individual surface species, many aspects of biology, the formation of organic and hybrid photovoltaic thin films and graphene. The Kelvin probe force microscope (KFM) is a surface technique extremely sensitive to any changes of surface properties in term of structure, composition and contamination. KFM is an AFM-based technique well suited to map the local contact potential difference (CPD) variation at the nanoscale.
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Synthèse, structure électronique et comportement sous irradiation aux ions de films minces de phases MAX

Synthèse, structure électronique et comportement sous irradiation aux ions de films minces de phases MAX

Les premiers dépôts [TiN 6 /TiAl(N) 10 ] 5 ont été réalisés sur substrat monocristallin de si- licium (100), suivis de recuit à des températures allant de 550° C à 800°C. La figure II.34 présente les diffractogrammes de RX obtenus sur ces échantillons. La présence de Ti 2 AlN est notée dès 620°C avec une forte texture {000}, même si les raies (0006) et (10¯13) sont difficiles à discriminer. Pour la plus haute température de recuit, 800°C, nous observons l’apparition de nombreux pics attribuables à des siliciures, caractéristiques d’une interdiffusion au niveau de l’interface TiN/substrat. Cependant, pour les films recuits entre 620°C et 750°C, deux pics de diffraction à 41° et 51,5° sont attribuables à la formation de Ti 7 Al 5 Si 12 [119]. Parmi les bases de données dont nous disposons, seule cette phase permet d’expliquer la présence du pic à ∼ 51,5°. Ainsi pour toutes les températures permettant la formation de Ti 2 AlN, une inter- difusion au niveau du substrat a eu lieu. Ce constat est d’autant plus problématique que les pics de diffraction sur les plans (000) de Ti 2 AlN et Ti 7 Al 5 Si 12 sont à des positions angulaires quasi-identiques [JCPDS 18-70 et 18-71] si bien que l’on ne peut pas exclure une contribution de ces deux phases dans l’intensité de ces pics. L’interdiffusion est confirmée par des observa- tions MET en vue transverse. La partie du film la plus proche du substrat, sur 60 nm, semble en effet perturbée puisque le contraste des couches de (Ti,Al)N est bien plus clair qu’en se rapprochant de la surface (cf. figure II.35-a). Ceci est à mettre en parallèle avec une épaisseur bien plus importante de la deuxième couche, en partant du substrat, de Ti 2 AlN, la présence d’azote ayant été confirmée par EELS dans cette couche [120]. La présence de grains de Ti 2 AlN est cependant confirmée par des micrographies METHR, avec une taille de grains de l’ordre de 30-40 nm (cf. figure II.35-b). Enfin précisons qu’une croissance de grains a également été mise en évidence dans le substrat proche de l’interface avec le film, confirmant l’hypothèse d’une diffusion d’éléments du film au travers de l’interface. Des spectres EELS au seuil Si L 2,3 démontrent cependant qu’il n’y a pas ou très peu de silicium dans le film.
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Rupture et délamination de films minces

Rupture et délamination de films minces

Le module de Young de la couche (E f = 4GP a ± 3) est mesuré par na- noindentation (Agilent -MTS XP) pour des couches de 1.7 µm d’épaisseur déposées sur des substrats de silicium. L’incertitude de mesure est due à la faible épaisseur de la couche. La taille caractéristique du contact est en effet rapidement comparable à l’épaisseur de la couche. Nous sondons alors le mo- dule de Young du substrat qui est beaucoup plus rigide que celui du film. Une autre difficulté est que la couche peut délaminer ou flamber à proximité de l’indent. Nous ne pouvons décorréler ces sources de dissipation de la réponse élastique du sol-gel et nous ne considérons donc pas les courbes de charge correpondantes. La déformation calculée à partir de la mesure des contraintes résiduelles est donc d’environ 1, 4%. Cette valeur de déformation est confirmée lors de la mesure du champs de déplacements du film par corrélation d’image (section 3.3.2). Les épaisseurs de couches sont déterminées par profilométrie de contact (Dektak), par microscopie à force atomique (AFM) ou en coupe au microscope FEG-SEM. Les images en tranche des motifs de rupture réa- lisées au FEG (figure 3.36) mettent en évidence des couches homogènes dans l’épaisseur sans direction privilégiée apparente.
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Rupture et délamination de films minces

Rupture et délamination de films minces

Le module de Young de la couche (E f = 4GP a ± 3) est mesuré par na- noindentation (Agilent -MTS XP) pour des couches de 1.7 µm d’épaisseur déposées sur des substrats de silicium. L’incertitude de mesure est due à la faible épaisseur de la couche. La taille caractéristique du contact est en effet rapidement comparable à l’épaisseur de la couche. Nous sondons alors le mo- dule de Young du substrat qui est beaucoup plus rigide que celui du film. Une autre difficulté est que la couche peut délaminer ou flamber à proximité de l’indent. Nous ne pouvons décorréler ces sources de dissipation de la réponse élastique du sol-gel et nous ne considérons donc pas les courbes de charge correpondantes. La déformation calculée à partir de la mesure des contraintes résiduelles est donc d’environ 1, 4%. Cette valeur de déformation est confirmée lors de la mesure du champs de déplacements du film par corrélation d’image (section 3.3.2). Les épaisseurs de couches sont déterminées par profilométrie de contact (Dektak), par microscopie à force atomique (AFM) ou en coupe au microscope FEG-SEM. Les images en tranche des motifs de rupture réa- lisées au FEG (figure 3.36) mettent en évidence des couches homogènes dans l’épaisseur sans direction privilégiée apparente.
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Etudes expérimentales de surfaces et de films minces isolants par microscopie à sonde locale sous ultra vide

Etudes expérimentales de surfaces et de films minces isolants par microscopie à sonde locale sous ultra vide

o Cet amélioré de la tête AFM a été utilisé pour étudier la surfaces KBr (001), qui est une surface de référence pour NC-AFM. Maintenant, la résolution atomique de cette surface est obtenue facilement. Une méthodologie fiable pour obtenir des courbes de décalage en fréquence V.S. distance pointe- surface, df(z), pour obtenir les courbes de force a été développée. Un ensemble d'expériences a été exécuté avec une pointe qui a présenté un comportement intéressant. Sur des images atomiques topographiques et df constantes on a observé le changement de contraste atomique façon déterministe et réversible lorsque la pointe croisait sur des marches monoatomiques: les images obtenus formé sur les terrasses inférieures et les terrasses supérieures présentent la même périodicité atomique, mais avec des différences importantes dans la base de la structure cristalline. En outre, on observe le contraste atomique dans la dissipation sur la terrasse supérieure mais pas sur l’inférieure. Ces observations, publies dans [Venegas2008] ont été interprétées pendant qu'une évolution réversible de la structure du bout de la point, ayant pour résultat un changement du signe du bout terminant de la point, autrement dite de changement d'ion terminal, ayant comment référence le mécanisme de formation d’image sur les surfaces ioniques. Les courbes df(z), obtenues avec la même point présentent deux comportements distincts : Un sur la terrasse inférieure, où la dissipation est négligeable, et la courbe df(z) présente le même caractéristique standard, monotone, et globalement attractive. Sur la terrasse supérieure, où on observe un contraste atomique dans la dissipation, la courbe df(z) est telle que deux points de fonctionnement de formation d’image sont accessibles : la courbe est bistable. Nos observations établissent un lien direct entre cette bi stabilité, le comportement de commutation du bout sur les marches monoatomiques et l'aspect du contraste atomique dans les images de dissipations sur la terrasse supérieure. Ces résultats renforcent l'hypothèse d'hystérésis d'adhérence qui a été proposée comme source principale de dissipation dans NC-AFM [Kantorovich2004].
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Propriétés physiques de couches minces de Co100-x Pdx élaborées sous vide par évaporation thermique

Propriétés physiques de couches minces de Co100-x Pdx élaborées sous vide par évaporation thermique

7 élaborées par évaporation par bombardement électronique sur des substrats de Si et de GaAs dont l’épaisseur totale de la multicouche est 400 nm, et la concentration de Co est 60% at. Les mesures magnétiques montrent que les multicouches présentent une anisotropie perpendiculaire avec une bonne squareness (S=1). Shin et collaborateurs [28] ont déposé, par évaporation par bombardement électronique et par sputtering, des multicouches de Co/Pd et Co/Pt sur des substrats de GaAs. Ils ont trouvé une grande dépendance des propriétés magnétiques avec l’épaisseur et la méthode de préparation. Les films, dont l’épaisseur de Co est inférieure à 6Å et l’épaisseur du métal noble est supérieure à 5Å, présentent une anisotropie perpendiculaire. Les mesures de DRX montrent que les films présentent une structure cfc et une texture [111]. Ils ont noté également que ces matériaux sont des bons candidats pour les média à enregistrement magnéto optique. Des multicouches de CoPd ont été déposées, par pulvérisation, sur des substrats d’alumine par Vivas et al. [29] : les mesures structurales ont prouvé que les multicouches présentent une structure hcp et les mesures magnétiques ont prouvé que les propriétés magnétiques dépendent de la température. Une anisotropie magnétique perpendiculaire est observée à basse température et disparait à haute température. Des films Co 81 Pd 19 d’épaisseur 60 nm ont été déposés, par pulvérisation, par
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Transport dans des films minces d'hydrogel : gonflement, frottement et rhéologie

Transport dans des films minces d'hydrogel : gonflement, frottement et rhéologie

4.2.1 Dispositif expérimental Pour déterminer les changements de propriétés mécaniques des films d’hydrogel pendant leur drainage poroélastique, des expériences où une sollicitation de cisaille- ment cyclique est superposée à l’indentation normale sont réalisées. Ces mesures permettent le suivi en continu du module de cisaillement complexe G ∗ des films au cours de leur drainage. Le principe repose sur l’application d’un cisaillement de petite amplitude superposé à la force normale appliquée. Si l’amplitude du ci- saillement imposé est suffisamment petite, c’est-à-dire de l’ordre de la fraction de l’épaisseur du film, le film peut être cisaillé sans micro-glissement à l’interface de contact. Dans une telle configuration, la réponse latérale de contact fournit une me- sure de la rhéologie du film de polymère sous force normale imposée. Cette méthode de mesure et le dispositif expérimental associé ont été développés précédemment au laboratoire pour l’étude des propriétés mécaniques de films minces de polymères. Pour cette étude, nous avons adapté la partie optique pour pouvoir visualiser le contact entre l’indenteur sphérique en saphir et le film d’hydrogel gonflé dans l’eau. Cette méthode de mesure s’avère adaptée à la détermination des propriétés mé- caniques de films minces d’hydrogel dans l’eau pendant leur indentation statique et donc leur drainage. En effet, le déplacement latéral met le film en cisaillement. Le cisaillement n’induisant pas d’écoulement de drainage dans le gel, ceci nous permet de mesurer les changements de propriétés mécaniques résultant du seul drainage imposé par la force normale. De plus, cette méthode contourne les problèmes de séchage du gel et d’alignement des plateaux rencontrés pour des films minces avec les rhéomètres classiques.
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Synthèse de films minces de phases MAX par recuit thermique - Application à la formation de contacts ohmiques sur SiC

Synthèse de films minces de phases MAX par recuit thermique - Application à la formation de contacts ohmiques sur SiC

Ensuite, on observe que la concentration en azote est relativement élevée. En particulier, rappelons que l’échantillon dénommé « Test 1 » consiste en un système multicouche Ti/AlN. La concentration en azote obtenue pour cet échantillon est supérieure à celle en Al ce qui si- gnifierait en première approche que des couches d’AlN sur-stœchiométriques en azote se- raient obtenues lors du dépôt. Il existe une littérature très abondante sur la synthèse de films minces d’AlN par pulvérisation magnétron. Si la synthèse de films minces sous- stoechiométrique en azote est possible, la formation d’un composé sur-stoechiométrique n’est jamais mentionnée et es t a priori impossible. Il convient alors d’admettre que la concentration en azote déterminée par EDX est surévaluée ou qu’il existe une forte incorporation d’azote après le dépôt d’AlN (en raison de la pression partielle d’azote résiduelle). La couche de faible épaisseur apparaissant comme fortement désorganisée lors des observations en MET (voir figure IV-12) pourrait ainsi être sursaturée en azote. On peut également proposer qu’une concentration en azote non négligeable existe dans les couches de Ti ou Ti+Al. Pour confir- mer ces hypothèses, des cartographies chimiques devront être réalisées.
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Biocomposites élaborés par thermocompression sous vide pour applications marines

Biocomposites élaborés par thermocompression sous vide pour applications marines

Fig. 1 - Schéma de la thermocompression sous vide. Des plis de FT50 et des films de MAPP sont empilés sur une plaque d’aluminium. Le taux volumique de fibres visé est de 40 %. Des cales permettent de piloter l’épaisseur finale de la pièce. Une contreplaque est posée sur l’empilement. Un tissu drainant, puis une bâche à vide sont installés autour de l’ensemble, qui est placé dans une étuve et mis sous vide (< 50 mbar). Un schéma du procédé de fabrication est présenté (Fig. 1). Le cycle de cuisson appliqué aux plaques présente une montée en température de 10 °C/min, suivi d’un plateau, et d’un refroidissement à 5 °C/min jusqu’à température ambiante. Différents temps et températures de plateau, présentés (Tab. 1), sont testés afin d’étudier leur influence sur les caractéristiques mécaniques de la pièce finale. Deux thermocouples placés respectivement au centre de l’étuve, et au milieu de l’épaisseur d’une plaque, enregistrent les températures pendant la cuisson.
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Dépôt de films d'oxyde de silicium par vaporisation sous vide : dynamique moléculaire et expériences

Dépôt de films d'oxyde de silicium par vaporisation sous vide : dynamique moléculaire et expériences

Dans cette thèse, nous mettons en œuvre des simulations numériques et des expériences pour identi- fier les mécanismes à l’origine de la mise en compression des films de silice pendant leur croissance. Les expériences nous permettent de distinguer trois régimes de croissance, en fonction de la pression de gaz résiduel. Sous vide très poussé, où le gaz a un rôle négligeable, les films croissent en com- pression. Ensuite, à mesure que la pression augmente, l’incorporation d’espèces issues du gaz dans les films les comprime légèrement. Enfin, lorsque la pression augmente encore, le ralentissement des particules vaporisées par le gaz diminue fortement le niveau de compression et masque l’effet d’in- corporation. Les dépôts de silice par dynamique moléculaire nous permettent d’explorer la limite de vide idéal. Grâce à une étude paramétrique systématique, nous trouvons que la mise en compression des films est exclusivement contrôlée par l’énergie cinétique moyenne des particules incidentes. En outre, les valeurs expérimentales ne peuvent être retrouvées qu’avec une énergie de quelques eV, au moins dix fois plus grande que toutes les prédictions formulées dans la littérature sur le dépôt. Ce résultat inattendu nous conduit à réfuter l’idée que la vaporisation au canon à électrons procéderait par simple échauffement thermique. Nous le confirmons en déposant expérimentalement des films à partir de monoxyde de silicium, évaporé thermiquement ou vaporisé au canon à électrons : les pre- miers croissent en tension, les seconds en compression. Finalement, pour expliquer les quelques eV prédits, nous proposons que sous irradiation électronique, une concentration de charges se forme à la surface de la silice en raison de sa très faible conductivité électrique. Les particules vaporisées qui sont chargées sont alors accélérées par répulsion Coulombienne.
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Etude de l'influence du substrat sur la formation de films de diamant. Application au développement de couches minces de nitrure de bore cubique

Etude de l'influence du substrat sur la formation de films de diamant. Application au développement de couches minces de nitrure de bore cubique

L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, est destinée au dépôt et à la diffusion de documents scientifiques de niveau recherche, publiés ou non, émanant des établissements d’enseignemen[r]

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Visualisation magnétique de vortex dans les films minces supraconducteurs

Visualisation magnétique de vortex dans les films minces supraconducteurs

L'inuence de la convolution par la taille s de la région active de la sonde Hall est visible à la gure B.2. La valeur de s = 1 µm est délibérément choisie plus grande que celles de l'expérience (autour de 300 nm), an de maximiser les eets de la convolution. Ces derniers n'ont de l'importance qu'aux endroits où le champ varie rapidement en fonction de x, c'est-à-dire à proximité du pic. Pour une hauteur z = 0.4 µm largement inférieure à celles auxquelles les mesures ont été prises, la convolution diminue la hauteur du pic de 6.1% par rapport à sa valeur initiale. Pour z = 1.2, 2.0 et 2.8 µ m, l'inuence de la convolution est minime et la variation relative du pic est respectivement de 1.1% , 0.4% et 0.2%. En xant s = 450 nm, la convolution pour z = 1.2 µm engendre une variation relative de la hauteur du pic de 0.25%, qui décroît davantage lorsque la hauteur augmente. Il est donc légitime de xer s. Par ailleurs, d'après l'analyse menée ci-dessus, les eets de convolution par la taille de la sonde Hall sont négligeables pour les hauteurs de mesure dans notre expérience. Bien que n'intervenant pas dans la relation (4.20), il est nécessaire de tenir compte de s, car la taille nie de la sonde a un eet de convolution sur le champ magnétique réel. En eet, au lieu de mesurer B z (x, z) , le champ mesuré est donné par la relation (4.9). La fonction de transfert G est supposée constante sur toute la surface active de la sonde et B z (x, z) est considéré comme indépendant du temps. En pratique, le produit de convolution est calculé numériquement en moyennant l'amplitude du champ sur un nombre de pixels voisins correspondant à s.
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Rôle des interfaces et du confinement dans les films liquides minces

Rôle des interfaces et du confinement dans les films liquides minces

) sur le substrat et à l'interfa e solution-air, e qui semble raisonnable puisque ette on entration orrespond au double de la surfa e dont dispose une haîne aliphatique en phase ristalline. Les ontraintes stériques entre les haînes sont alors assez faibles. On peut envisager une valeur de e c d'environ 400 nm . T ous les lms étudiés i i ont une épaisseur d'au moins 500 nm . Cette épaisseur est don toujours supérieure à l'épaisseur ritique. T out au long des expérien es, le lm est don

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Instabilites et Singularites : des films minces aux plaques elastiques

Instabilites et Singularites : des films minces aux plaques elastiques

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