Haut PDF Polymères de coordination à transition de spin : synthèse, élaboration de couches minces, nanostructuration et propriétés physiques

Polymères de coordination à transition de spin : synthèse, élaboration de couches minces, nanostructuration et propriétés physiques

Polymères de coordination à transition de spin : synthèse, élaboration de couches minces, nanostructuration et propriétés physiques

et d‘éclatement quadripolaire (QS) attribuables à des centres Fe(II) dans l‘état HS. Si nous comparons ce spectre avec celui du composé B6 (Voir chapitre B.2.5.6), l‘intensité du doublet avec une valeur importante de QS (site 2) diminue drastiquement tandis que le doublet avec une faible valeur de QS (site 1) augmente légèrement (de 59 à 67 %) et un nouveau doublet avec une valeur de QS de 2.0(1) mm s -1 (site 2‘) apparait. En fait, les molécules de pyrazine entrent dans la structure et modifient la sphère de coordination de la majorité des centres Fe(II). A basse température apparait un doublet correspondant à un centre Fe(II) dans l‘état bas spin avec les paramètres :  mm s -1 et QS = 0.20(2) mm s -1 (site 3). Comme dans le cas du composé B6, seul les centres fer correspondant au site 1 sont le siège d‘une transition de spin. En fait, une faible quantité de pyrazine est adsorbé par le réseau (comme il a été observé pour le composé analogue D3(pz)) et par conséquence une faible fraction (8%) des centres fer inactifs (site 2) sont transformés en centre fer actifs (sites 1). Ce phénomène est probablement dû, comme dans le cas des molécules de ligand bpac insérées, aux interactions de type  -  entre les cycles aromatiques des molécules de pyrazine et ceux des deux molécules de bpac liés aux centres Fe(II) considérés. De plus, même si seulement une petite fraction (environ 3%) des centres fer n‘est pas affectée par l‘inclusion des molécules de pyrazine, le reste de la population est transformé en site 2‘ (environ 30%) qui correspond à des centres Fe(II) qui restent inactifs, avec certainement, un seul des deux cycles aromatiques des deux molécules de bpac coordinées aux atomes de fer considérés, concerné dans des interactions de type  -  . Il faut souligner, d‘ailleurs, que pour le site 2‘, la valeur intermédiaire de QS par rapport aux valeurs des sites 1 et 2 et sa variation thermique modérée (2.0(1) – 2.35(8) mm s -1 ) par comparaison avec celle du site 2 correspondent à un état
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Polymères de coordination à transition de spin : synthèse, élaboration de couches minces, nanostructuration et propriétés physiques

Polymères de coordination à transition de spin : synthèse, élaboration de couches minces, nanostructuration et propriétés physiques

12 A.1.2.2. Comportement collectif des centres actifs : la coopérativité Bien que l‘origine du phénomène de transition de spin soit purement moléculaire, la manifestation macroscopique du solide est le résultat de l‘interaction coopérative entre les molécules qui composent le matériau. La nature coopérative de la transition de spin a stimulé un grand intérêt étant donné que les transitions de phase de premier ordre sont accompagnées d‘hystérésis thermique conférant à ces matériaux un effet mémoire qui pourrait être mis à profit dans l‘élaboration de dispositifs pour le stockage d‘information. La coopérativité réside en la différence de taille que présente la molécule dans chacun des états de spin. Par conséquent, elle a une origine élastique qui donne lieu à une combinaison complexe d‘interactions à courte et longue portée. Dans une première approximation, ces interactions peuvent être assimilées à une pression interne, qui croît avec l‘augmentation de la fraction LS et influencent toutes les molécules du cristal avec la même intensité, indépendamment des distances. [27]
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Dépôt en couches minces et nano-structuration de complexes bistables à transition de spin et à transfert de charge : élaboration et propriétés physiques

Dépôt en couches minces et nano-structuration de complexes bistables à transition de spin et à transfert de charge : élaboration et propriétés physiques

La synthèse est très similaire à celle décrite au chapitre A.3 pour le complexe [Fe(pz)M(CN) 4 ] (M = Ni(II), Pd(II) et Pt(II)) : seule l’étape de formation de la couche d’accrochage avec la mercaptopyridine est omise, l’azopyridine jouant directement ce rôle. Le procédé est le suivant : le substrat est d’abord plongé dans une solution d’azopyridine (50 mM) dans l’éthanol puis nettoyé pendant 30 secondes dans l’éthanol (première étape). Ce substrat est ensuite immergé pendant une minute dans une solution de Fe(BF 4 ) 2 . 6H 2 O (50 mM) pendant une minute, puis lavé pendant 30 secondes à l’aide d’une solution d’éthanol (deuxième étape). Enfin, le substrat est plongé pendant une minute dans une solution de (TBA) 2 M(CN) 4 (où M = Ni, Pd ou Pt, TBA = Tétrabutylammonium) à 50mM dans l’éthanol, et lavé à nouveau dans l’éthanol pendant 30 secondes (troisième étape). Ces trois étapes peuvent être réalisées non seulement à -60°C mais aussi à température ambiante et correspondent à un cycle, qui peut être répété à volonté pour former le polymère 3D (Figure A.4.2). Une moyenne de 15 et 20 cycles est suffisante pour obtenir des dépôts utilisables pour les différentes analyses. Le substrat est finalement séché sous azote et conservé à l’air. Préalablement aux mesures Raman, et de la même façon que pour [Fe(pz)M(CN) 4 ] (M = Ni(II), Pd(II) et Pt(II)), l’échantillon subit un traitement thermique à 160°C afin d’enlever des traces de solvant.
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Propriétés magnétiques statiques et dynamiques de couches minces de GaMnAs à anisotropie perpendiculaire

Propriétés magnétiques statiques et dynamiques de couches minces de GaMnAs à anisotropie perpendiculaire

Introduction L’invention du transistor en 1947 a marqu´e le d´ebut de l’informatique moderne et de l’augmentation fulgurante de la puissance de calcul des ordinateurs. Durant les 20 derni`eres ann´ees l’informatique est entr´e dans la vie courante et y prend d´esormais une place importante (ordinateurs, t´el´ephones portables, GPS, internet, consoles . . .). ` A la base de l’informatique, on trouve d’un cˆ ot´e des processeurs (anciennement les calculateurs) et de l’autre des m´emoires magn´etiques (aujourd’hui essentiellement des disques durs). Les processeurs sont des unit´es de calculs qui permettent d’effectuer des calculs ` a des fr´equences tr`es ´elev´ees. Ils sont fabriqu´es avec des mat´eriaux semiconducteurs ; des tensions ´electriques sont utilis´ees pour manipuler la charge de l’´electron et effectuer les calculs. Les m´emoires magn´etiques sont des unit´es de stockage. Elles permettent de stocker de grandes quantit´es d’information (jusqu’`a 1 To en 2008), mais sont relativement lentes (temps d’acc`es aux donn´ees ≈ 1 ms). Elles sont fabriqu´ees avec des mat´eriaux magn´etiques, essentiellement des m´etaux. Des champs magn´etiques sont utilis´es pour manipuler le spin de l’´electron qui sert de support de stockage de l’information. Ainsi, unit´es de calcul et de stockage font appel ` a deux technologies distinctes qui ont ´evolu´e de concert l’une avec l’autre au cours du temps. En effet, plus la quantit´e d’informations trait´ee par les unit´es de calcul est importante, plus les besoins de stockage sont importants (et vice versa).
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Sur les relations entre la résistivité électrique de couches minces d'or et certaines de leurs propriétés

Sur les relations entre la résistivité électrique de couches minces d'or et certaines de leurs propriétés

Mais la recristallisation peut également entraîner une modification des surfaces de la couche ; au microscope électronique, on peut constater que.. Cependant, pour [r]

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Etude, analyse et optimisation des propriétés des matériaux à couches minces pour les applications photovoltaïques

Etude, analyse et optimisation des propriétés des matériaux à couches minces pour les applications photovoltaïques

55 afin qu’il soit également applicables aux cellules solaires cristallines (familles Si et GaAs) et aux cellules amorphes (a-Si etSi micro-morphe) [70]. Dans SCAPS-1D, l’ajout de sept couches de semi-conducteurs et la modification de tous les paramètres presque sont possibles. Des paramètres tels que la bande interdite et la mobilité sont indépendants de la température, on peut définir jusqu'à trois niveaux profonds pour chaque couche et trois états d'interface peuvent être placés entre ces trois couches. Ces niveaux profonds peuvent être répartis énergétiquement dans la zone interdite (niveau unique, uniforme, gauss ou queue exponentielle). Les niveaux massifs profonds peuvent également varier spatialement à l'intérieur de la couche (uniforme, pas à pas, linéaire ou exponentielle), toutes les autres propriétés sont spatialement uniformes pour Chaque couche. Ainsi, afin d’introduire les jonctions graduées dans l’appareil, plusieurs couches doivent être utilisé.
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Etude par photoémission résolue en angle et en spin de Mn5Ge3/Ge(111) en couches minces

Etude par photoémission résolue en angle et en spin de Mn5Ge3/Ge(111) en couches minces

Cette zone s’étend jusqu’à 50 eV après le seuil et donne des renseignements sur les liaisons chimiques et sur la symétrie de l’atome cible. La région de l’EXAFS L’étude de la structure fine s’étendant au delà du seuil d’absorption d’énergie E 0 dans l’intervalle d’énergie de photon compris entre E 0 +50 eV et E 0 +1000 eV. Dans cette zone, l’électron de cœur est éjecté dans le continuum. L’énergie cinétique étant importante et le libre parcours moyen faible, le photoélectron est essentiellement impliqué dans des phénomènes de diffusion simple avec les atomes voisins. Le spectre d’absorption présente deux composantes : une fonction lentement décroissante notée µ 0 (E) et une fonction oscillante autour de µ 1 (E). L’onde qui est associée à ces photoélectrons va être rétrodiffusée par les atomes de la sphère de coordination de l’atome central et va interférer avec l’onde émergente. Cela donne lieu aux oscillations EXAFS dont l’étude permet de caractériser la nature et le nombre des voisins de l’atome cible, les distances absorbeur-voisins et le désordre structural au sein d’un échantillon.
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Couches minces de ferrites spinelles à propriétés semiconductrices destinées à la réalisation de microbolomètres

Couches minces de ferrites spinelles à propriétés semiconductrices destinées à la réalisation de microbolomètres

Ce type de réarrangement a déjà été envisagé dans le cas de la transformation des protoxydes de fer riches en lacunes Fe1-zO en Fe3O4. Un modèle proposé par Roth 137 fait intervenir, pour le composé Fe1-zO, un ordre entre les lacunes, les cations Fe 2+ et Fe 3+ demeurant dans les sites octaédriques et les cations Fe 3+ en sites tétraédriques, rappelant l'arrangement cationique de la phase Fe3O4. Ainsi, les protoxydes de fer riches en lacunes seraient constitués de très petits domaines de structure Fe3O4, qui lors d'une oxydation plus poussée précipiteraient en dehors de la structure wustite (fig. 59). Par analogie, il semble donc que les poudres A, B et C ainsi que les couches minces déposées en configuration magnétron se situent au niveau de la transition entre la zone 2 et 3 et soient constituées d'une phase spinelle sous-stoechiométrique comprenant des clusters de (Zn1-xFex)O (C). Ce genre d'hypothèse nécessiterait d'être confirmée notamment par des analyses fines au microscope électronique à transmission haute résolution. Les observations faites dans le cadre de la thèse n'ont pas permis de révéler les clusters de (Zn1-xFex)O (C).
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Les iminophosphoranes : synthèse, propriétés en coordination et applications en catalyse.

Les iminophosphoranes : synthèse, propriétés en coordination et applications en catalyse.

a b b a La première approche (a) repose sur la monobromation sélective d’une diphosphine symétrique suivie du piégeage de l’adduit bromé par une amine primaire. Cette méthodologie a été aisément étendue à la synthèse de ligands mixtes tridentes P~N~N et P~N~O. La deuxième approche (b) exploite le caractère donneur de la fonction iminophosphorane pour diriger la lithiation d’un aromatique sélectivement en position ortho du phosphore. L’adduit lithié obtenu (qui constitue un ligand mixte C~N) a été ensuite piégé par des électrophiles tels que les chlorophosphines pour donner les ligands mixtes P~N désirés. Là encore, cette stratégie de synthèse par lithiation s’est avérée facile à étendre à la synthèse de ligands tridentes et tétradentes chiraux. Dans les deux approches développées, le nombre d’étapes de synthèse n’excède par trois, les conditions opératoires sont très douces et les briques élémentaires de départ sont disponibles commercialement à des prix très raisonnables y compris pour les composés chiraux. La réaction de Kirsanov a été un outil remarquable pour la synthèse des iminophosphoranes. En effet, la synthèse des ligands en série chirale n’a posé aucun problème majeur et la stabilité des sels d’aminophosphonium a permis de s’affranchir de la réactivité des iminophosphoranes vis-à-vis de l’oxygène et de l’humidité.
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Élaboration et caractérisation des couches minces de ZnO dopées au molybdène et à l’ytterbium, pour des applications photovoltaïques

Élaboration et caractérisation des couches minces de ZnO dopées au molybdène et à l’ytterbium, pour des applications photovoltaïques

Il faut ajouter que la préparation de ces échantillons a été effectuée au Laboratoire de Physique des Matériaux (LPM) situé à la Faculté des Sciences de Rabat (FSR) au MAROC. Tableau 4.1. Conditions de dépôt des couches minces de ZnO non dopé et dopé Yb. Pour le dépôt des couches minces de ZnO non dopé et dopé Yb, nous avons utilisé des substrats de verre. Ce choix a été motivé par le coût et par le fait que la croissance de ZnO est possible sur tout type de substrat. Pour éliminer, toutes traces de graisses, ces substrats ont été nettoyés avec un détergent, puis rincés à l’eau distillée et à l’acétone. Ils sont rincés une seconde fois avec de l’eau distillée et sont ensuite trempés dans un bécher contenant de l’alcool (éthanol ou méthanol) pendant environ un dizaine de minute. Ils sont enfin rincés après le trempage dans l’alcool par de l’eau distillée et séchés à l’aide d’un séchoir. Après cette opération de nettoyage, les substrats sont placés sur une plaque chauffante en céramique. De sorte à éviter un choc thermique, la plaque est chauffée lentement à partir de la température ambiante jusqu’à atteindre progressivement la température de dépôt souhaitée. Une fois cette température atteinte, on met en marche le système de pompage permettant de faire remonter la solution préparée jusqu’au cône du gicleur dont la vitesse du flux a été préalablement régulée et fixée à 2.6 ml/min (correspondant à un temps de dépôt de 77 min pour un volume de 200 ml de solution préparée). A cette vitesse des gouttelettes très fines sont pulvérisées à la surface des substrats chauffés.
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Elaboration et caractérisation de couches minces polymères par CVD et photo-CVD pour des applications optiques originales

Elaboration et caractérisation de couches minces polymères par CVD et photo-CVD pour des applications optiques originales

la croissance du parylène [49]. Ceci dans le but d’expliquer les inhibitions de croissance observées sur différents types de substrats : certains métaux (Fe, Ru, Pd, Pt, Cu, Ag…), certains sels métalliques (chlorure de ruthénium (III)) et des complexes organométalliques (phthalocyanine de vanadyle ou de manganèse). Selon la surface inhibitrice, l’épaisseur maximale de la couche de sélectivité varie (pour le parylène C : 1,7 µm avec le fer et 85 nm avec le cuivre). Selon ces études [49], les couches inhibitrices suppriment à la fois l’initiation et la propagation. Ceci peut être obtenu si les espèces monomères ne s’adsorbent pas à la surface (faible coefficient de collage) ou si les espèces interagissent avec le métal de façon à être désactivées une fois adsorbées. L’hypothèse de la désactivation est préférée, le mécanisme n’est pas connu mais il est proposé une liaison ou une complexation de la molécule avec le métal, ou encore une conversion du monomère p-xylylène en un dérivé p-xylène inactif (fig. 9). Ce type de comportement ressemble beaucoup à celui que nous avons observé avec les électrochromes et l’explication proposée par cette étude [49] est en accord avec les dépendances observées entre la concentration en électrochrome, l’épaisseur de parylène déposée et le résultat de l’encapsulation du liquide. Ainsi, selon le type de mécanisme proposé, l’accumulation de p- xylylène désactivé sur la surface contrôle l’efficacité de l’inhibition d’une surface.
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Propriétés physiques de nanofils de polymères conducteurs préparés par la méthode template

Propriétés physiques de nanofils de polymères conducteurs préparés par la méthode template

- Des tests réalisés sur film ont permis d’établir que cette résistance de contact vaut quelques Ohm quand les résistances mesurées sont d’une centaine d’Ohm. De plus, il est admis que R contact est inversement proportionnelle à la surface de contact. Sur la figure III.6, on peut voir que le PEDOT émergeant des pores coalesce pour former un film à la surface du polycarbonate. Le contact à la laque d’argent est effectué sur ce film. Ainsi, la « grande » surface de contact PEDOT / laque d’argent permet d’espérer des résistances de contact faibles comparées à la résistance des fils. Par exemple, une surface de contact type de 100 µm² permet de contacter environ 10 4 nanofils (densité de fils : 10 8 /cm²). Supposant une conductivité du PEDOT de 61 S/cm (valeur mesurée pour les films), un fil de longueur 22 µm et de diamètre 100 nm a une résistance d’environ 4.10 5 Ohm. Mesurant en parallèle 10 4 nanofils, on espère obtenir une résistance de 40 Ohm, valeur typique mesurée. Enfin, précisons que l’épaisseur du film contrôlée par la durée de synthèse après débordement, est faible (environ 0.5 µm). La proportion sur R mesurée de la résistance du film est donc
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Matériaux moléculaires à propriétés multiples (transition de spin, conductivité électrique et photochromisme) : synthèse et mise en forme

Matériaux moléculaires à propriétés multiples (transition de spin, conductivité électrique et photochromisme) : synthèse et mise en forme

Dans ce chapitre nous avons d’abord revu la synthèse et la caractérisation d’une série de polymères conducteurs de la famille des poly(métal éthylène-tétrathiolate) [(MC 2 S 4 )Na x ] n et [(MC 2 S 4 )C x ] (M = Ni(II), Pt(II), Pd(II), Fe(III), Co(II), Cu(II) et Zn(II) ; C = NMe 4 + , NEt 4 + et NBu 4 + ). On a observé une variation des propriétés électriques, en fonction de la nature du métal et du cation associé. Les composés dérivés du nickel conduisent toujours à des composés de stœchiométries variables. Ces mêmes composés du nickel ont montré qu’ils sont les mieux adaptés pour favoriser des contacts moléculaires interchaines et intrachaines dans les polymères, ce qui explique leur conductivité sur poudre plus élevée que celles obtenues avec les autres métaux. Cependant, l’insolubilité de ces polymères est un obstacle pour leurs mises en forme et leurs éventuelles applications. C’est pourquoi nous nous sommes attachés à obtenir ces polymères sous une forme « soluble ».
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Elaboration des couches minces de ZnO pures et dopées et étude de leurs caractéristiques électrochimiques, physiques et optiques

Elaboration des couches minces de ZnO pures et dopées et étude de leurs caractéristiques électrochimiques, physiques et optiques

électrons libres et l’existence des défauts électroniques dans la bande interdite. Des transitions à des énergies de photon inférieures à celle du gap peuvent être alors détectées. Ceci, est éventuellement, le résultat de l’occupation des sites interstitiels par les atomes du dopant car ces derniers, représentent les principaux donneurs natifs dans les films ZnO. L’augmentation de la valeur du gap optique est principalement provoquée par l’effet de Burstein-Moss (voir annexe). En général, le décalage vers le bleu du début d’absorption des couches nanocristallines dopées en aluminium est lié à l’augmentation de la concentration des porteurs de charge bloquant les états les plus bas de la bande de conduction (effet Burstein-Moss). Cette théorie explique l’élargissement du gap optique pour les couches dopées 4% et 6%. La diminution du gap optique après dopage de 3,31eV (ZnO non dopé) à (3,00) eV (ZnO dopé 8% en Al +3 ) peut provenir des transitions actives impliquant des niveaux d’énergie en ions Al +3 et une forte interaction d’échange entre les itinérants de ZnO et les défauts localisés du dopant qui se traduisent par la réduction de la bande de conduction EC et la bande de valence EV provoquant un rétrécissement de la bande interdite. Les mêmes phénomènes ont été reportés par Douayer et al [104]. Ils ont observé un décalage vers les niveaux de faible énergie du (ZnO non dopé) à 3,04 eV (ZnO dopé Al +3 ).
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Élaboration et caractérisation de couches minces de CuInS2 déposées par la pyrolyse par pulvérisation ultrasonique à base de transducteur

Élaboration et caractérisation de couches minces de CuInS2 déposées par la pyrolyse par pulvérisation ultrasonique à base de transducteur

 La pyrolyse aérosol ou «Spray Pyrolysis» La réalisation d’un réseau interpénétrant entre le CIS et le TiO2, par la technique de dépôt par pulvérisation, a été conduite par Marian et al (Nanu, M., Schoonman, & Goossens, 2005a). Sur la figure 2-23 on constate que les pores sont remplis presque complètement et les réseaux de TiO2 et CuInS2 sont en contact étroit à l'échelle atomique, ce qui est une condition préalable pour le transfert d'électrons rapides à travers l'interface. La détermination des concentrations atomiques locales aux sites a-e par l’EDX permet de confirmer si l'infiltration complète de la couche tampon (In2S3) et l'absorbeur (CuInS2) se produisent. D’après les résultats répertoriés dans le tableau 2-1 on note, dans le site «d», une forte présence des éléments indium, soufre et titane uniquement. D’après Nanu et al, ce résultat confirme qu'en effet TiO2 et In2S3/CuInS2 forment un nanocomposite. Pour réaliser ce dépôt, la technique consiste au dépôt du CIS à l’intérieur des pores de TiO2 par une pulvérisation discontinue pour aboutir à l’obtention du réseau recherché. Ils se sont basés sur les travaux de Krunks et al (Krunks et al., 2000) concernant la croissance de couches minces de CuInS2 par la technique de pulvérisation pyrolyse utilisant des solutions aqueuses de CuCl2, InCl3 and SC(NH2)2 comme précurseurs. La température de dépôt se situe dans une gamme de 300 °C à 400 °C. La réaction conduisant à la formation de CuInS2 est la suivante :
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Développement de procédés de nanostructuration sur films de polymères flexibles

Développement de procédés de nanostructuration sur films de polymères flexibles

Nous nous sommes intéressés au comportement antigivre des surfaces superhydrophobes. Par rapport aux méthodes de dégivrage classiques, les surfaces superhydrophobes sont in- téressantes d’une part pour leur efficacité passive vis-à-vis de ces problématiques et d’autre part pour leur potentiel à faire baisser la demande énergétique des solutions classiques, dites actives. Nous avons montré que la condensation de surface sur les surfaces froides est capable de détruire l’interface composite de Cassie-Baxter. Aussi, une structuration rugueuse et poin- tue de la surface a montré une meilleure résistance aux effets de la condensation par rapport à une rugosité plus arrondie. Les propriétés antigivre ont été caractérisées par des mesures de retards de gel. Nous avons explicité le rôle de la condensation de l’eau par rapport aux mécanismes de propagation du givre et montré que la structuration de surface par impression thermique permet de retarder ce phénomène en agissant sur la stabilité de la ligne triple. De plus, la hiérarchisation des surfaces a généralement permis d’obtenir des retards de gel plus longs, parfois supérieurs à 40 minutes. Enfin, nous avons mis en évidence l’influence d’un paramètre nouveau : le potentiel électrostatique de surface. Cela nous a permis d’expliquer les disparités des mesures de retard de gel. Aussi, il semblerait que ce paramètre joue un rôle très important, qui doit absolument être pris en compte.
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Etude des propriétés optiques et de la structure de couches minces électrochromes de WO3 préparées par CVD

Etude des propriétés optiques et de la structure de couches minces électrochromes de WO3 préparées par CVD

contenant, comme électrolyte, une solution normale de H2SO4, la deuxième électrode étant constituée d’un disque de platine. Cette électrode de travail présente un effet électrochrome réversible suivant le sens de la polarisation. Aucune mesure de caractéri- sation (RX, Raman ou RBS) n’a été effectuée sur ces électrodes de travail, c’est-à-dire sur les couches

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Dynamique du déplacement de parois magnétiques dans les couches ultra-minces à forte interaction spin-orbite

Dynamique du déplacement de parois magnétiques dans les couches ultra-minces à forte interaction spin-orbite

Dynamique du déplacement de parois magnétiques dans les couches ultra-minces à forte interaction spin-orbite. Université de Grenoble, 2013.[r]

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Films minces épitaxiés de chrome pour l'électronique de spin : propriétés de volume et d'interface

Films minces épitaxiés de chrome pour l'électronique de spin : propriétés de volume et d'interface

Chapitre 14 Caractérisation de la surface Cr(001) et de l’interface Cr/MgO Dans nos travaux, nous nous sommes concentrés sur l’étude de l’interface Cr/MgO et plu- sieurs raisons motivent ce choix. Tout d’abord, il est délicat d’étudier une surface de Cr(001) nue, car au contact de l’air, celle-ci se recouvre de contaminants, et le Cr se passive de manière non contrôlée par formation d’un oxyde Cr 2 O 3 . Cela modifie les propriétés électroniques de la surface par l’hybridation du Cr avec l’O, et ainsi potentiellement aussi ses propriétés magné- tiques. Il est donc très difficile d’observer une surface de Cr(001) propre, à moins d’effectuer les mesures sous vide, après de nombreux nettoyages de la surface (comme pour notre étude d’ARPES décrite au chapitre 7). En revanche, il est plus facile de contrôler les propriétés d’une interface, dans notre cas, l’interface Cr/MgO : le nettoyage s’effectue in-situ et assure la pureté de la surface avant dépôt du MgO ; les propriétés structurales et chimiques de l’in- terface peuvent être analysées in-situ par des techniques de surface (RHEED et Auger) ; et enfin, une fois la couche de MgO déposée, l’empilement peut être sorti à l’air sans risque de modifier les propriétés de l’interface, enterrée 1 . En outre, grâce aux études décrites dans le chapitre 8 sur le magnétisme de couches minces isolées recouvertes de MgO, nous avons établi que son interface avec le MgO ne modifie pas le magnétisme volumique de la couche isolée de Cr. D’autre part, hormis cette facilité à contrôler la nature de l’interface, l’étude du sys- tème Cr/MgO est également motivée par un intérêt scientifique, à savoir le transport tunnel dans des empilements épitaxiés métal/oxyde. Nous exposerons plus en détail les phénomènes mettant en jeu de tels systèmes métal bcc/MgO (comme Fe/MgO/Fe) dans la partie V.
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Synthèse et Caractérisation de Couches Minces de Cu(In,Ga)Se2par Voie Electrochimique.

Synthèse et Caractérisation de Couches Minces de Cu(In,Ga)Se2par Voie Electrochimique.

➢ Aux pH proches de 2-2.5, le sélénite d’indium In 2 (SeO 3 ) 3 peut également se précipiter. Ainsi, obtenir un bain stable avec de bonnes conditions de dépôt est difficile. Pour s’affranchir de ces difficultés, l’électrodéposition d’alliages Cu-In-Ga (sans élément Se) peut être considéré. Un traitement thermique est nécessaire dans tous les cas pour mieux cristalliser le dépôt ; celui-ci peut servir à introduire le Se sous la forme de vapeurs ou de gaz. Les potentiels redox du Cu, de l’In et du Ga sont néanmoins très différents. On peut envisager le dépôt de multicouches métalliques ou le co-dépôt des trois métaux. La Figure II.8 montre un exemple du processus d'électrodéposition en plusieurs étapes des éléments Cu, In et Ga à partir de leurs solutions respectives pour produire des cellules solaires à couches minces CIGS de rendement 11.7% [51].
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